ซัมซุง อิเลคโทรนิคส์ (Samsung Electronics) และเอสเค ไฮนิกซ์ (SK Hynix) ผู้ผลิตชิปรายใหญ่ของเกาหลีใต้ กำลังยกระดับเทคโนโลยีการผลิตในโรงงานที่ประเทศจีน เพื่อผลิตชิปหน่วยความจำขั้นสูง ท่ามกลางการแข่งขันที่เพิ่มขึ้นจากแยงซี เมมโมรี เทคโนโลยีส์ (Yangtze Memory Technologies) คู่แข่งจากจีน และความต้องการชิปที่เพิ่มขึ้นจากศูนย์ข้อมูลปัญญาประดิษฐ์ (AI)
อย่างไรก็ตาม แผนปรับปรุงโรงงานเผชิญข้อจำกัดจากมาตรการควบคุมการส่งออกของสหรัฐฯ ซึ่งกำหนดให้บริษัททั้งสองต้องขอใบอนุญาตเป็นรายปี หากต้องการติดตั้งอุปกรณ์บางประเภทที่ผลิตในสหรัฐฯ ในโรงงานของตนในจีน โดยรัฐบาลสหรัฐฯ ระบุเมื่อปี 2568 ว่า ไม่มีเจตนาที่จะอนุมัติใบอนุญาตสำหรับการยกระดับเทคโนโลยีหรือขยายกำลังการผลิตในโรงงานเดิมของบริษัททั้งสองแห่งในจีน
สำนักข่าวรอยเตอร์รายงานว่า ซัมซุงตั้งเป้าปรับโรงงานในเมืองซีอาน ทางตะวันตกเฉียงเหนือของจีน ให้สามารถผลิตชิปหน่วยความจำแฟลช NAND รุ่น V9 แบบ 286 ชั้น ภายในปี 2570 จากปัจจุบันที่ผลิตชิปได้ประมาณ 200 ชั้น โดยโรงงานแห่งนี้มีสัดส่วนการผลิตคิดเป็นราว 40% ของผลผลิต NAND ทั้งหมดทั่วโลกของซัมซุง
ภายใต้โครงการที่ใช้ชื่อภายในบริษัทว่า Monami ซัมซุงตั้งเป้าผลิตแผ่นเวเฟอร์ 5,000 แผ่นต่อเดือนในเดือนธ.ค.ปีนี้ และเพิ่มเป็น 40,000 แผ่นต่อเดือนภายในเดือนธ.ค. 2570
ซัมซุงระบุว่า การปรับปรุงโรงงานเป็นไปตามกฎระเบียบควบคุมการส่งออกของสหรัฐฯ และมีเป้าหมายเพื่อรองรับความต้องการที่เพิ่มขึ้นจากลูกค้าทั่วโลก รวมถึงลูกค้าในสหรัฐฯ พร้อมยืนยันว่า แผนดังกล่าวไม่ได้เป็นการเพิ่มกำลังการผลิตหรือสร้างโรงงานแห่งใหม่
ขณะที่เอสเค ไฮนิกซ์ กำลังพิจารณาปรับปรุงโรงงานในเมืองต้าเหลียนของจีน เพื่อผลิตชิปหน่วยความจำแฟลช NAND แบบ 240 ชั้นขึ้นไป เพิ่มขึ้นจาก 192 ชั้นในปัจจุบัน
โดย กัลยาณี ชีวะพานิช/พสิษฐ์ อุ่นเมตตาจิต
